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高速度低功耗8位MCU芯片——SIC8P370D2L PLP16
发布时间 : 2026-04-14 浏览次数 : 19
  概述

SIC8P370D2L是一个基于CMOS技术的高速度低功耗的8位MCU,其核心是一个嵌入式的8位CPU,内置2K×16 bit OTP ROM,并提供保护位用以保护指令码它是一个功能强大的微控制电路。作为一个通用MCU,主要应用于移动电源、高端智能充电器、电动车主控板等。

其特点如下:

●2k×16-bit OTP ROM

●80×8-bit SRAM

●8级堆栈空间

●可编程WDT预分频器

●可编程WDT时间(4.5ms、18ms),可控制WDT自由运行时间

●带信号源选择、触发沿选择、溢出中断及预分频器的8位实时时钟/计数器(TCC)

●工作电压范围:2.1V~5.5V(-0℃~70℃);2.3V~5.5V(-40℃~85℃)

●工作频率范围(2分频):

●晶振模式:DC~16MHz,4.5V;DC~8MHz,3V;DC~4MHz,2.1V

●ERC模式:DC~2MHz,2.1V

●IRC模式:16MHz、4MHz、1MHz、8MHz

●系统高低频率的变化点是400kHz

●低功耗:

●小于1.5mA(4MHz/5V)

●典型15μA(32kHz/3V)

●典型2μA(睡眠模式,WDT关闭,LVD关闭)

●内置RC振荡电路:16MHz、1MHz、4MHz、8MHz

●低压复位:4.0V±0.3V、3.5V±0.3V、2.7V±0.3V 25℃

●低压检测:4.5±0.2V、4.0±0.2V、3.3±0.2V、2.2±0.2V 25℃

●中断源:

●TCC溢出中断(IDLE模式唤醒)

●外部中断(SLEEP/IDLE模式唤醒)

●比较器输出状态改变中断(SLEEP/IDLE模式唤醒)

●ADC转换完成中断(SLEEP/IDLE模式唤醒)

●PWM1~3周期中断(IDLE模式唤醒)

●PWM1~3占空比中断(IDLE模式唤醒)

●P0端口输入状态改变中断(SLEEP/IDLE模式唤醒)

●LVD中断(SLEEP/IDLE模式唤醒)

●双向I/O口:

●13个可编程控制上拉引脚(P0.0~P0.5,P1.0~P1.1,P1.4~P1.7,P2.0)

●12个可编程控制开漏引脚(P0.0~P0.5,P1.0~P1.1,P1.4~P1.7)

●13个可编程控制下拉引脚(P0.0~P0.5,P1.0~P1.1,P1.4~P1.7,P2.0)

●10位可编程控制高驱动引脚(P1.0~P1.1,P1.4~P1.7,P0.1~P0.4)

●指令周期长度选择:2/4/8/16个振荡时钟

●封装形式:PLP16

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